代理分销商WILLSEMI韦尔WHS3802Q

    WL2803E系列是一种采用CMOS工艺制造的低压差线性稳压器，具有极低的压降、低静态电流和高电源抑制比（PSRR）等特点。在500mA的负载电流下，其压降只有130mV（典型值）。这使得它在需要高输出电流的消费者和网络应用中极具吸引力。

特性：

· 输入电压范围：2.5V至5.5V

· 输出电压范围：1.2V至3.3V，步长为0.1V

· 输出电流：500mAPSRR（电源抑制比）：在1KHz时为65dB

· 压降电压：在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声：100uV

· 静态电流：典型值为150μA

此外，WL2803E系列还具备热关断（OTP）和电流限制功能，以确保在异常条件下芯片和电源系统的稳定性。同时，采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

应用：

· LCD电视

· 机顶盒（STB）

· 计算机、图形卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列CMOSLDO为现代电子设备提供稳定电源，具有极

低压降、低静态电流和高电源抑制比，有效减少电源噪声干扰。宽输出电压范围和微调技术满足各种应用需求，适用于LCD电视、机顶盒和计算机通信设备。紧凑封装和环保设计使其易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WD3139F-6/TR LED驱动 封装：TSOT-23-6。代理分销商WILLSEMI韦尔WHS3802Q

WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET

产品描述：

     WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 槽型技术

· 超高密度单元设计

· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换器

· 电路电源开关

· 负载开关充电

       WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WS742904WL2801E12-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5。

WNMD2171双N沟道、20V、6.0A功率MOSFET

产品描述：

     WNMD2171是一款双N沟道增强型MOSFET场效应晶体管。这款MOSFET的特殊设计使得在电路板上连接其漏极变得不必要，因为MOSFET1和MOSFET2的漏极是内部连接的。该产品采用先进的沟槽技术和设计，提供了出色的导通电阻（RSS(ON)）和低栅极电荷。这款器件专为锂离子电池保护电路而设计。WNMD2171采用CSP-4L封装。标准产品WNMD2171是无铅和无卤素的。小型CSP4L封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 锂离子电池保护电路

       WNMD2171是一款采用先进技术的双N沟道MOSFET，特别适用于锂离子电池保护电路。其内部连接的漏极设计简化了电路布局，而优异的导通电阻和极低的阈值电压则提供了高效的电池管理。这款产品的小型CSP-4L封装使其成为空间受限应用中的理想选择。此外，其无铅和无卤素的特点也符合现代环保标准。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

WS3202E：过压和过流保护IC

产品描述：

WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L

产品特性：

· 高压技术

· 输入电压：25V

· 输出上电时间：8ms（典型值）

· OVP阈值：6.1V（典型值）

· OVP响应时间：

· OCP阈值：2A（最小值）

· 输出放电功能

应用领域：

· GPS设备

· PMP（便携式媒体播放器）

· MID（移动互联网设备）

· PAD（平板电脑）

· 数码相机

· 数字摄像机

     WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC，为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色，特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备，如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装，方便集成到各种电路板中，同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。

  WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管（MOSFET）。它采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(ON)（导通电阻）和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色，尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。

  WPM2015xx的主要特点包括：

1：稳定的走电电压和出色的导电电阻，这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。

2：适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用，这些应用需要精确控制电流和电压。

3：采用无铅、无卤的环保封装，符合现代电子产品的环保要求。

4：具有超高密度电池设计，适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。

5：极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。

  在实际应用中，WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压，WPM2015xx可以实现对电流的精确调节，从而实现对电机等设备的控制。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESD54231N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56201D18

ESD5611N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WHS3802Q

    ESD9X5VU是一种单向瞬态电压抑制器（TVS），专为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子组件提供高水平的保护。它被设计用于替代多层变阻器（MLV），并广泛应用于消费设备，如手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、LCD电视等。

特性：

· 极低电容：CJ=0.5pFtyp

· 极低漏电流：IR

· 低箝位电压：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固态硅技术

· 根据IEC61000-4-2标准，每条线提供±20kV（接触和空气放电）的瞬态保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，可承受4A（8/20μs）的浪涌电流

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

     ESD9X5VU采用了一对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。它为敏感电子组件提供了高水平的ESD保护，使其免受静电放电的损害。与传统的多层变阻器相比，ESD9X5VU具有更低的电容和漏电流，以及更低的箝位电压，从而提供了更好的性能。此外，其固态硅技术确保了高效、可靠的电源保护。无论是用于USB、HDMI、SATA还是其他接口，ESD9X5VU都能为现代电子设备提供坚实的ESD防护屏障。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WHS3802Q